加熱器 半導(dǎo)體晶圓制造過(guò)程中CVD、Etch工藝的SEMI設(shè)備的主要組成部分。 核心技術(shù)是在與加熱器接觸時(shí)在硅片表面提供一致的熱量

CVD 制程

PVD制程

ASHING制程：

目前的灰化處理方法一般采用含氧氣體例如o2/n2的等離子體增強(qiáng)灰化處理進(jìn)行光刻膠或碳層的移除，由于該處理過(guò)程中需要將晶片加熱到200℃～300℃，很容易使硅襯底或底電極表面氧化，進(jìn)而需要再通過(guò)干法或濕法清潔處理以去除氧化層。但這樣的方式會(huì)增加電阻，造成rc延遲，進(jìn)而影響器件性能。

此外，灰化處理機(jī)臺(tái)通常分為兩種傳送方式，即atm(atmospheretransfermodule)傳送和vtm(vacuumtransfermodule)傳送，在以atm機(jī)臺(tái)進(jìn)行灰化處理制程時(shí)，由于制程前的升溫過(guò)程以及制程后的降溫過(guò)程中，晶片都會(huì)與大氣接觸，從而使晶片表面氧化而影響其性能。

ASHING 制程目的之一是克服現(xiàn)有技術(shù)中的至少一種缺陷，提供一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括移除半導(dǎo)體襯底表面的蝕刻殘留物的灰化制程，該方法可抑制襯底表面在升溫時(shí)易被氧化，以及高溫襯底與大氣接觸易被再次氧化的問(wèn)題，同時(shí)相比于傳統(tǒng)的灰化制程，具有較強(qiáng)的殘留物移除的能力。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，如下技術(shù)方案：

半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底包括圖形層和位于圖形層上的待移除層；在真空狀態(tài)下移除待移除層，包括：

對(duì)半導(dǎo)體襯底執(zhí)行第一控溫制程；對(duì)執(zhí)行第一控溫制程后的半導(dǎo)體襯底執(zhí)行第二控溫制程；對(duì)執(zhí)行第二控溫制程后的襯底執(zhí)行冷卻制程；其中，移除待移除層包括采用還原性氣體氛圍。

實(shí)施方式，還原性氣體選自氨氣、氫氣、氨氣與惰性氣體的混合物或氫氣與惰性氣體的混合物，惰性氣體可以為氮?dú)狻?/p>

根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式，還包括：

在第一真空度下執(zhí)行第一控溫制程；

在第二真空度下執(zhí)行第二控溫制程；

在第三真空度下執(zhí)行冷卻制程；

其中，第一真空度大于第二真空度，第二真空度大于第三真空度。

實(shí)施方式，第一真空度下的氣壓為0mtorr～100mtorr，第二真空度下的氣壓為600mtorr～1500mtorr，第三真空度下的氣壓為800mtorr～2000mtorr。

實(shí)施方式，第一控溫制程的溫度不超過(guò)80℃。

實(shí)施方式，第二控溫制程包括升溫制程和恒溫制程，襯底經(jīng)升溫制程達(dá)到200℃～300℃的溫度后，執(zhí)行恒溫制程。

實(shí)施方式，冷卻制程包括：通入惰性氣體對(duì)襯底執(zhí)行冷卻制程，冷卻制程后的襯底溫度不超過(guò)60℃，惰性氣體可以為氮?dú)?/p>

光刻制程

在集成電路制造中，關(guān)鍵尺寸(criticaldimension,cd)的大小主要取決于光刻工藝。隨著器件尺寸的縮小，光刻需要波長(zhǎng)更短的紫外光及與之相兼容的光刻膠。在248nm和193nm光刻工藝中，當(dāng)將光刻膠覆于如氮化硅、氮氧化硅等介質(zhì)層材料表面時(shí)，曝光區(qū)域的光刻膠常常不能完全反應(yīng)，顯影后形成底部站腳(footing)結(jié)構(gòu)，影響關(guān)鍵尺寸。

底部站腳一般由于光刻膠與介質(zhì)層的酸堿不平衡所致，當(dāng)前解決該問(wèn)題的方法是在介質(zhì)層上先制備一層有機(jī)底部抗反射層barc(bottomantireflectivecoating)或增粘劑hmds(hexamethyldisilazane)，在提高抗反射效果或增加光刻膠的黏附性的同時(shí)避免光刻膠與介質(zhì)層直接接觸。但該方法不僅會(huì)增加一道旋涂工藝，而且曝光后還需要通過(guò)刻蝕將barc或hmds除去，工藝復(fù)雜