隨著設(shè)備幾何尺寸不斷縮小，這一點(diǎn)變得更加重要。Kamet 的礦物絕緣 (MI)高溫（“奇異”）熱電偶可以在密切監(jiān)控操作溫度方面發(fā)揮關(guān)鍵作用，而我們的礦物絕緣加熱元件可以幫助精確控制溫度。
RTP 和 RTA
快速熱處理 (RTP) 的開發(fā)旨在通過設(shè)計(jì)盡可能短的工藝時(shí)間，最大限度地減少晶圓暴露于過量熱能。快速加熱是通過紅外燈、鹵素?zé)?、激光或電加熱器?shí)現(xiàn)的。RTP 的 3 個(gè)主要應(yīng)用領(lǐng)域是：
- 激活過程：半導(dǎo)體轉(zhuǎn)化為導(dǎo)電材料的過程。在此過程中，將雜質(zhì)植入晶體管，并在短時(shí)間內(nèi)利用高溫激活或移動(dòng)到所需位置。
- 材料改性工藝：晶體管觸點(diǎn)的形成。在制造晶體管觸點(diǎn)時(shí)，RTP 用于將材料（例如鎳鉑）轉(zhuǎn)化為更堅(jiān)固、電阻更低的鎳單硅化物，從而有助于改善觸點(diǎn)的性能。
- 改善薄膜性能。在這種情況下，RTP 可用于使薄膜致密化，從而使薄膜更加堅(jiān)固，從而提高設(shè)備的性能。
快速熱退火 (RTA) 是一種特定類型的 RTP，用于影響晶圓的電氣特性。
對(duì)于這些工藝，需要非常高的溫度才能獲得良好的結(jié)果，但是，由于各種原因（例如，這會(huì)使摻雜劑擴(kuò)散得太廣），晶圓不能長(zhǎng)時(shí)間暴露在高溫下。目前，用于摻雜劑激活的典型尖峰退火持續(xù)時(shí)間不超過幾秒鐘。
Kamet 為 RTP 和 RTA 提供哪些加熱和溫度解決方案？
在快速熱處理 (RTP) 和退火 (RTA) 中，精確的溫度測(cè)量和控制極具挑戰(zhàn)性。Kamet 提供定制組件，以促進(jìn)這一關(guān)鍵工藝的兩個(gè)方面。
- 我們的高溫?zé)犭娕?/font>經(jīng)過專門設(shè)計(jì)，可確保在苛刻的環(huán)境下實(shí)現(xiàn)快速響應(yīng)時(shí)間和準(zhǔn)確測(cè)量。
- 我們的礦物絕緣 (MI)晶圓加熱器可用于在 RTP 系統(tǒng)中均勻加熱晶圓。我們的 MI 加熱器可快速加熱至 1000°C，并可在正常電壓水平（120V – 230V）和特定低壓水平下運(yùn)行。這樣，就無(wú)需使用電轉(zhuǎn)換器。
- 微型加熱器可以是為 PVD ??設(shè)計(jì)的小型定制加熱解決方案。
Kamet 的熱電偶和加熱器設(shè)計(jì)完全可定制，以匹配每個(gè)特定的應(yīng)用環(huán)境。
RTP、RTA使用高溫?zé)犭娕加心男﹥?yōu)勢(shì)？
- 即使在高溫下也能獲得極其準(zhǔn)確的讀數(shù)
- 正確校準(zhǔn)高溫計(jì)
- 響應(yīng)時(shí)間快
- 熱電偶和礦物絕緣護(hù)套的完全定制確保了其與最惡劣的環(huán)境完美匹配。
- 有助于提高流程的可復(fù)制性
- 晶圓上薄膜熱電偶可以測(cè)量整個(gè)表面溫度，而無(wú)需使用線熱電偶時(shí)發(fā)生的熱傳遞
- 經(jīng)濟(jì)高效的解決方案
- 可彎曲以適應(yīng)復(fù)雜的空間
- 我們的長(zhǎng)期合作伙伴陶瓷供應(yīng)商擁有 20 年的經(jīng)驗(yàn)，提供一流的品質(zhì)
- 提供無(wú)損檢測(cè)以保證額外的質(zhì)量
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